适用于 UPS 和逆变器的紧凑型、单通道、隔离式 SiC 和 IGBT 栅极驱动器参考设计
此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS 基础型隔离式栅极驱动器，可以驱动高侧和低侧 FET。此参考设计包含一个紧凑的内置 1.5W 隔离式 Fly Buck 辅助电源，用于为栅极驱动器的输入和输出供电。方法是将隔离式栅极驱动器和隔离式栅极驱动器电源组合在一张尺寸为 33mm × 23mm 的紧凑电路板中。此设计提供了一套经全面测试的可靠、独立、易于验证的单通道驱动器解决方案，能够承受 100kV/μs 以上的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
详情介绍
适合单相和三相逆变器、中高电压电源转换器（100VAC 至 230VAC） 0.5A/2A/6A/10A 拉电流和灌电流适合驱动 MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz 在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断 4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层 驱动器解决方案经过验证，能够承受 100kV/μs 以上的高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 内置低成本、组件少、紧凑型隔离式电源，可为具有负偏置的高电压侧电路供电，实现抗噪效果
