SI4888DY-E3 规格参数
| Category | Power MOSFET |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Taxonomy | Diodes, Transistors and Thyristors » FET Transistors » MOSFET |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Width (mm) | 4(Max) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Standard Package Name | SOIC |
| PCB | 8 |
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