SD211DE-2 规格参数
| Category | Power MOSFET |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | -25 |
| Taxonomy | Diodes, Transistors and Thyristors » FET Transistors » MOSFET |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 45000@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Standard Package Name | TO-206AF |
| PCB | 4 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
数据手册
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