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TPH2R506PL,L1Q(M
Toshiba

TPH2R506PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
中间价(CNY):6.1223
推荐供应商
TPH2R506PL,L1Q(M 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4180@30V
ConfigurationSingle
PCB changed8
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)7.1
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Channel ModeEnhancement
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Operating Temperature (°C)175
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