首页/STB100N6F7搜索结果/STB100N6F7规格参数/
STB100N6F7
STMicroelectronics

STB100N6F7

STB100N6F7 系列 60 V 100 A 5.6 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET - D2PAK-3
中间价(CNY):4.8
推荐供应商
推广产品
高带宽、低静态电流可编程并联稳压器
适用于 USB 输入的 I2C 控制型 2 节电池 2A 升压模式电池充电器
STB100N6F7 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1980@25V
ConfigurationSingle
Typical Turn-Off Delay Time (ns)28.6
PCB changed2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)55.5
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)21.6