| 原厂标准交货期 | 13 周 |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 制造商零件编号 | UMH3NTN |
| 电阻器 - 基底（R1） | 4.7 千欧 |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品相片 | UMT6
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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| RoHS指令信息 | Transistor Whisker Info
Transistor, MOSFET Level 1 MSL
UMH3N ESD Data
UMT6 Constitution Material List
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| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 描述 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 产品目录绘图 | SOT-363 Package Top
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| 得捷电子 零件编号 | UMH3NTNTR-ND |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 12,000
可立即发货
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| 包装 | 标准卷带 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | Pre-Biased-Bipolar-Transistor-BJT-2-个-NPN-预偏压式（双）-50V-100mA-250MHz-150mW-表面贴装型-UMT6 |
| 电阻器 - 发射极基底（R2） | - |
| 产品族 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 |
| 其它有关文件 | Transistor, MOSFET Flammability
UMT6 DTRTG Reliability Test
UMT6 Inner Structure
UMT6 Part Marking
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| 数据列表 | EMH3, UMH3N, IMH3A;
UMT6 TN Taping Spec;
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| 系列 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 仿真模型 | UMH3N Spice Model
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