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2SK975TZ-E
Renesas

2SK975TZ-E

Renesas Electronics Si N沟道 MOSFET 2SK975TZ-E, 1.5 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
中间价(CNY):17.4
推荐供应商
2SK975TZ-E 规格参数
安装类型通孔
宽度3.8mm
晶体管材料Si
通道类型N
最大栅源电压-20 V、+20 V
典型输入电容值@Vds140 pF@ 10 V
晶体管配置
引脚数目3
最大漏源电阻值550 mΩ
通道模式增强
最大连续漏极电流1.5 A
数据手册
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