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FDS8958B_G
ON Semiconductor

FDS8958B_G

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
中间价(CNY):-
推荐供应商
FDS8958B_G 规格参数
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)26 毫欧 @ 6.4A,10V,51 毫欧 @ 4.5A,10V
安装类型表面贴装
包装带卷(TR)
FET 类型N 和 P 沟道
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
系列PowerTrench®
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)5.8nC @ 4.5V,9.6nC @ 4.5V
供应商器件封装8-SO
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.4A,4.5A
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