原厂标准交货期 | 6 周 |
制造商零件编号 | BSS123LT1G |
产品相片 | SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
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湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
PCN 封装 | New taping option 15/May/2019
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RoHS指令信息 | Material Declaration BSS123LT1G
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描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
FET 类型 | N 通道 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
得捷电子 零件编号 | BSS123LT1GOSCT-ND |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
漏源电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 170mA(Ta) |
制造商 | ON Semiconductor |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 20pF @ 25V |
PCN 组件/产地 | TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
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零件状态 | 有源 |
现有数量 | 得捷电子库存现货: 420,597
可立即发货
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包装 | 剪切带(CT) |
类别 | 分立半导体产品 |
安装类型 | 表面贴装型 |
详细描述 | 表面贴装型-N-通道-100V-170mA(Ta)-225mW(Ta)-SOT-23-3(TO-236) |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
PCN 设计/规格 | Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
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HTML 规格书 | BSS123LT1G, BVSS123LT1G
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 6 欧姆 @ 100mA,10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
数据列表 | BSS123LT1G, BVSS123LT1G;
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系列 | - |
标准包装 | 1 |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 225mW(Ta) |