| 原厂标准交货期 | 10 周 |
| 制造商零件编号 | IRLML6244TRPBF |
| 产品培训模块 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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| 产品相片 | SOT-23-3
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| PCN 封装 | Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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| 设计资源 | IRLML6244TRPBF Saber Model
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| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRLML6244TRPBFCT-ND |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.3A（Ta） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 700pF @ 16V |
| PCN 组件/产地 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
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| 零件状态 | 在售 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 11,936
可立即发货
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| 包装 | 剪切带（CT） |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 详细描述 | 表面贴装-N-沟道-20V-6.3A（Ta）-1.3W（Ta）-Micro3™-SOT-23 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它有关文件 | Part Number Guide
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 21 毫欧 @ 6.3A，4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 视频文件 | Switched-Mode Power Supply Isolation
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| 数据列表 | IRLML6244TRPBF;
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| 系列 | HEXFET® |
| 对无铅要求的达标情况 | 无铅 |
| 标准包装 | 1 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| EDA / CAD 模型 | IRLML6244TRPBF by SnapEDA
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.9nC @ 4.5V |
| 仿真模型 | IRLML6244PBF Spice Model
IRLML6244TRPBF Saber Model
IRLML6244TRPBF Spice Model
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