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IRF7304TR
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IRF7304TR
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Infineon
IRF7304TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
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IRF7304TR
规格参数
得捷电子
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
安装类型
表面贴装
包装
带卷(TR)
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET®
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 4.5V
供应商器件封装
8-SO
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.3A
FET 功能
逻辑电平门
功率 - 最大值
2W
制造商
Infineon Technologies
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
610pF @ 15V
零件状态
停產
类别
分立半导体产品
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