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IPD031N03LGBTMA1
Infineon

IPD031N03LGBTMA1

英飞凌 Infineon MOSFET, OptiMOS 3 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 90 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
中间价(CNY):8.7719
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适用于 USB 输入且采用 QFN 封装的 I2C 控制型 2 节电池 2A 升压模式电池充电器
具有 32KB FRAM、4KB SRAM、44 IO 和 12 位 ADC 的 24MHz 105C ULP 微控制器
IPD031N03LGBTMA1 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4000@15V
ConfigurationSingle
PCB changed2
Typical Turn-Off Delay Time (ns)34
HTS8541.29.00.95
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)6
Maximum Power Dissipation (mW)94000
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)9