登录
|
免费注册
快易购首页
|
技术文库
|
行业动态
|
数据上传
|
创客窝
网站导航
|
联系客服
|
分类搜索
库存搜索
请输入产品型号、规格参数或原厂品牌、供应商
首页
/
IHW25N120R2
搜索结果
/
IHW25N120R2
规格参数
/
Infineon
IHW25N120R2
新产品 Infineon IHW25N120R2, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3针 TO-247封装
中间价(CNY):
2.4865
下载资料
订阅
推荐供应商
Digi-Key
Mouser
Heilind
推广产品
Texas Instruments
TPS7A11
500mA、低输入/输出、低 Iq 低压降 (LDO) 线性稳压器
立即购买
下载资料
IHW25N120R2
规格参数
贸泽电子
零件号别名
IHW25N120R2FKSA1 SP000212016
功率耗散
365 W
最大工作温度
+ 150 C
产品种类
IGBT 晶体管
商标
Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic
50 A
RoHS
详细信息
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
栅极/发射极最大电压
+/- 25 V
封装
Tube
最小工作温度
- 40 C
配置
Single
系列
IHW25N120
在25 C的连续集电极电流
25 A
工厂包装数量
240
封装 / 箱体
TO-247-3
制造商
Infineon
安装风格
Through Hole
集电极—射极饱和电压
1.6 V
展开
数据手册
RS
预览
下载
Digi-Key
预览
下载
贸泽电子
预览
下载