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FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon

FF600R12ME4AB11BOSA1

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
中间价(CNY):2418.4027
推荐供应商
FF600R12ME4AB11BOSA1 规格参数
安装类型底座安装
电流 - 集电极截止(最大值)3mA
输入标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)37nF @ 25V
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
封装/外壳模块
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.1V @ 15V,600A
工作温度-40°C ~ 150°C
配置2 个独立式
NTC 热敏电阻
数据手册
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