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301-192
Infineon

301-192

Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
中间价(CNY):3.8164
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具有 I2C 接口和外部基准输入电压的 16 位 1kSPS 4 通道通用 Δ-Σ ADC
适用于 USB 输入且采用 QFN 封装的 I2C 控制型 2 节电池 2A 升压模式电池充电器
301-192 规格参数
宽度3mm
通道类型N,P
典型输入电容值@Vds180 pF@ 25 V, 210 pF@ 25 V
引脚数目8
最大漏源电阻值110 mΩ,200 mΩ
最小栅阈值电压1V
最大连续漏极电流2 A,2.7 A
最大功率耗散1.25 W
长度3mm
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
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