2N7002DWH6327XT

Infineon

2N7002DWH6327XT

MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

中间价(CNY):4.8605

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2N7002DWH6327XT 规格参数

Rds On-漏源导通电阻:	1.6 Ohms
子类别:	MOSFETs
封装 / 箱体:	SOT-363-6
产品种类:	MOSFET
单位重量:	7.500 mg
通道模式:	Enhancement
晶体管极性:	N-Channel
工厂包装数量:	3000
典型接通延迟时间:	3 ns, 3 ns
技术:	Si
商标:	Infineon Technologies
制造商:	Infineon
Id-连续漏极电流:	300 mA
资格:	AEC-Q101
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Pd-功率耗散:	500 mW (1/2 W)
系列:	2N7002
典型关闭延迟时间:	5.5 ns, 5.5 ns
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
晶体管类型:	2 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
配置:	Dual
正向跨导 - 最小值:	200 mS, 200 mS
安装风格:	SMD/SMT
最大工作温度:	+ 150 C
长度:	2 mm
产品类型:	MOSFET
通道数量:	2 Channel
宽度:	1.25 mm
零件号别名:	2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596 2N7002DWH6327XTSA1
Qg-栅极电荷:	600 pC, 600 pC
高度:	0.9 mm
最小工作温度:	- 55 C
下降时间:	3.1 ns, 3.1 ns
上升时间:	3.3 ns, 3.3 ns
封装:	Reel

数据手册