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BZW50-82B
EIC Semiconductor

BZW50-82B

Diode TVS Single Bi-Dir 82V 5KW 2-Pin Case D-6
中间价(CNY):-
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BZW50-82B 规格参数
Peak Pulse Power Dissipation (W)5000
ConfigurationSingle
PCB changed2
Number of Elements per Chip1
Capacitance Value (pF)1300(Typ)
ECCN (US)EAR99
Minimum Breakdown Voltage (V)91
Package Length9.1(Max)
Maximum Reverse Leakage Current (uA)5
Direction TypeBi-Directional
Minimum Operating Temperature (°C)-65
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